关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
A: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: （111）硅比（100）硅氧化得快
D: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
A: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: （111）硅比（100）硅氧化得快
D: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
举一反三
- 关于氧化速率下面哪种描述是正确的： A: 生长十几nm厚的栅氧化层时，服从线性氧化速率； B: 温度升高氧化速率迅速增加； C: （111）硅比（100）硅氧化得快； D: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低。
- 下面是与硅热氧化速率有关的论述，哪种论述正确： A: 因为水汽在硅氧化层中的溶解度（也就是平衡浓度）远大于氧气，所以水汽的氧化速率比干氧氧化快得多 B: 温度对抛物线氧化速率影响大，对线性氧化速率影响小 C: 在氧化层很薄时增加氧气分压，比在氧化层较厚时增加氧气分压，对提高氧化速率的影响更大 D: 氧化层较厚时，可以忽略硅晶向对热氧化速率的影响
- 氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。
- 氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。 A: 正确 B: 错误
- 光敏氧化的速率通常比自动氧化速率大很多。