将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。
举一反三
- 将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。 A: A10 B: B20 C: C5 D: D15
- 将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。 A: 10 B: 20 C: 5 D: 15
- 以下制作硅片的流程正确的为（ ）。 A: 沙子-熔融-切割-拉单晶-硅晶圆 B: 沙子-熔融-拉单晶-切割-硅晶圆 C: 沙子-切割-熔融-拉单晶-硅晶圆
- 半导体硅单晶锭加工制备成晶片，根据晶片质量管理的要求需要利用四探针测试装置对( )进行检测。 A: 硅片厚度 B: 硅片平整度 C: 硅片薄层电阻 D: 硅片杂质浓度
- 多晶硅片是由单晶硅棒切割而成