关于大马士革说法错误的是
A: 、单大马士革工艺与传统刻蚀工艺不同的是先布绝缘膜
B: 、大马士革工艺有更广的应用
C: 、大马士革工艺的特点是，开槽镀铜，化学机械抛光实现制作图形
D: 、双大马士革法比单大马士革法工序多
A: 、单大马士革工艺与传统刻蚀工艺不同的是先布绝缘膜
B: 、大马士革工艺有更广的应用
C: 、大马士革工艺的特点是，开槽镀铜，化学机械抛光实现制作图形
D: 、双大马士革法比单大马士革法工序多
举一反三
- 关于大马士革工艺说法错误的是 A: 、大马士革工艺与我国景泰蓝的掐丝珐琅是一个道理 B: 、大马士革工艺能够实现制作高精细线条 C: 、大马士革工艺做出的金属线表面很平 D: 、大马士革工艺要在Si膜上开沟槽
- 大马士革工艺为什么能实现铜的布线？ A: 、大马士革采用“镶嵌”的方式避免了铜的刻蚀 B: 、大马士革用了特殊的药水，使铜好刻蚀 C: 、大马士革工艺先做铜膜，在利用绝缘膜绝缘 D: 、以上都不对
- ⑥ 关于大马士革工艺和导入CMP方法的异同错误的是： A: 、大马士革工艺和导入CMP都是采用化学机械抛光平坦各层 B: 、大马士革工艺和导入CMP都用来做Cu布线 C: 、大马士革工艺是第四代布线技术，导入CMP是第三代布线技术 D: 、导入CMP还需要用到刻蚀工艺
- 铜的互连技术普遍采用大马士革工艺，大马士革工艺中用到哪种平坦化技术
- ⑦ 关于布线技术的说法错误的是 A: 、大马士革工艺只在最尖端的器件中使用，玻璃流平和导入CMP技术仍广泛采用 B: 、第四代多层布线技术除了采用W塞柱作层间连接全部采用Cu双大马士革工艺 C: 、大马士革工艺布线中，绝缘阻挡层多用SiO2 D: 、大马士革工艺利用低介电膜的层间绝缘膜结构不需要采用CMP平坦化工艺