⑥ 关于大马士革工艺和导入CMP方法的异同错误的是：
A: 、大马士革工艺和导入CMP都是采用化学机械抛光平坦各层
B: 、大马士革工艺和导入CMP都用来做Cu布线
C: 、大马士革工艺是第四代布线技术，导入CMP是第三代布线技术
D: 、导入CMP还需要用到刻蚀工艺
A: 、大马士革工艺和导入CMP都是采用化学机械抛光平坦各层
B: 、大马士革工艺和导入CMP都用来做Cu布线
C: 、大马士革工艺是第四代布线技术，导入CMP是第三代布线技术
D: 、导入CMP还需要用到刻蚀工艺
举一反三
- ⑦ 关于布线技术的说法错误的是 A: 、大马士革工艺只在最尖端的器件中使用，玻璃流平和导入CMP技术仍广泛采用 B: 、第四代多层布线技术除了采用W塞柱作层间连接全部采用Cu双大马士革工艺 C: 、大马士革工艺布线中，绝缘阻挡层多用SiO2 D: 、大马士革工艺利用低介电膜的层间绝缘膜结构不需要采用CMP平坦化工艺
- 氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺，主要应用于（）方面。 A: 大马士革工艺 B: 层间介质（ILD）CMP C: 浅沟槽隔离(STI)CMP D: 钨的CMP
- Cu双大马士革布线的简要形成步骤为 A: 、双大马士革沟槽加工--阻挡层、Cu打底层形成--Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线 B: 、阻挡层、Cu打底层形成--双大马士革沟槽加工--Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线 C: 、阻挡层、Cu打底层形成--Cu电镀膜形成--双大马士革沟槽加工--利用CMP形成布线 D: 、Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线--双大马士革沟槽加工--阻挡层、Cu打底层形成
- 铜互连的大马士革工艺中采用以下哪种技术 A: 反刻 B: 高温回流 C: SOG D: CMP
- 铜的互连技术普遍采用大马士革工艺，大马士革工艺中用到哪种平坦化技术