Cu双大马士革布线的简要形成步骤为
A: 、双大马士革沟槽加工--阻挡层、Cu打底层形成--Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线
B: 、阻挡层、Cu打底层形成--双大马士革沟槽加工--Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线
C: 、阻挡层、Cu打底层形成--Cu电镀膜形成--双大马士革沟槽加工--利用CMP形成布线
D: 、Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线--双大马士革沟槽加工--阻挡层、Cu打底层形成
A: 、双大马士革沟槽加工--阻挡层、Cu打底层形成--Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线
B: 、阻挡层、Cu打底层形成--双大马士革沟槽加工--Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线
C: 、阻挡层、Cu打底层形成--Cu电镀膜形成--双大马士革沟槽加工--利用CMP形成布线
D: 、Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线--双大马士革沟槽加工--阻挡层、Cu打底层形成
举一反三
- 对比传统的金属互连工艺，集成电路的Cu制程有( )的特点 A: 利用电镀形成金属膜 B: 采用大马士革镶嵌 C: Cu电镀前需要淀积阻挡层及籽晶层 D: 增加碳排放
- 双大马士革布线结构中各层作用说法错误的是 A: 、Cu打底层的作用是为了增强Cu布线与基体的附着力 B: 、金属阻挡层是为了阻止Cu在Si和SiO2中的扩散 C: 、低k膜是为了抑制布线和连接柱之间产生电容 D: 、绝缘膜阻挡层是为了钝化保护器件
- ⑦ 关于布线技术的说法错误的是 A: 、大马士革工艺只在最尖端的器件中使用，玻璃流平和导入CMP技术仍广泛采用 B: 、第四代多层布线技术除了采用W塞柱作层间连接全部采用Cu双大马士革工艺 C: 、大马士革工艺布线中，绝缘阻挡层多用SiO2 D: 、大马士革工艺利用低介电膜的层间绝缘膜结构不需要采用CMP平坦化工艺
- ⑥ 关于大马士革工艺和导入CMP方法的异同错误的是： A: 、大马士革工艺和导入CMP都是采用化学机械抛光平坦各层 B: 、大马士革工艺和导入CMP都用来做Cu布线 C: 、大马士革工艺是第四代布线技术，导入CMP是第三代布线技术 D: 、导入CMP还需要用到刻蚀工艺
- Ni、Si、Al、Co、Cu不能与碳形成化合物，称为非碳化物形成元素。