对比传统的金属互连工艺，集成电路的Cu制程有( )的特点
A: 利用电镀形成金属膜
B: 采用大马士革镶嵌
C: Cu电镀前需要淀积阻挡层及籽晶层
D: 增加碳排放
A: 利用电镀形成金属膜
B: 采用大马士革镶嵌
C: Cu电镀前需要淀积阻挡层及籽晶层
D: 增加碳排放
举一反三
- Cu双大马士革布线的简要形成步骤为 A: 、双大马士革沟槽加工--阻挡层、Cu打底层形成--Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线 B: 、阻挡层、Cu打底层形成--双大马士革沟槽加工--Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线 C: 、阻挡层、Cu打底层形成--Cu电镀膜形成--双大马士革沟槽加工--利用CMP形成布线 D: 、Cu电镀膜形成--利用CMP形成布线--双大马士革沟槽加工--阻挡层、Cu打底层形成
- ⑦ 关于布线技术的说法错误的是 A: 、大马士革工艺只在最尖端的器件中使用，玻璃流平和导入CMP技术仍广泛采用 B: 、第四代多层布线技术除了采用W塞柱作层间连接全部采用Cu双大马士革工艺 C: 、大马士革工艺布线中，绝缘阻挡层多用SiO2 D: 、大马士革工艺利用低介电膜的层间绝缘膜结构不需要采用CMP平坦化工艺
- 凸点下的多层金属层的制作工艺包括（）。 A: 蒸发 B: 溅射 C: 电镀 D: 化学镀
- 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。
- 电镀和化学镀就是用电化学和化学的方法在金属表面形成各种膜层。