① （多选）利用CVD的方法制造多晶Si膜，常压CVD需要900℃，采用低压CVD可以
A: 、加快沉积速度
B: 、少量降低温度
C: 、提高膜的均匀性
D: 、提高膜的稳定性
A: 、加快沉积速度
B: 、少量降低温度
C: 、提高膜的均匀性
D: 、提高膜的稳定性
举一反三
- ② 下列哪一种CVD制膜方法使用了卤族灯加热（可以直接快速加热进行CVD反应）？ A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、RTP CVD
- 以下关于CVD说法错误的是 A: 、CVD过程需要能量，根据能量的来源可将CVD分成热CVD，光CVD等 B: 、CVD不易实现高精度的膜层 C: 、CVD生产快，批量大，所以大多数制膜采用CVD D: 、PVD属于CVD的一种
- ④ 下面哪种CVD的类型有效大量降低了工艺温度 A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、减压CVD
- 关于CVD方法,以下说法正确的是:() A: CVD过程中,温度较高时一定为扩散限制 B: APCVD的成膜质量要明显高于LPCVD C: PECVD的沉积温度要明显低于APCVD和LPCVD D: CVD技术可以作为一种表面改性技术
- CVD根据激活方式不同分为： A: 热激活CVD B: 等离子增强的反应沉积CVD C: 激光增强的反应沉积CVD D: 微波电子共振等子离CVD