关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-26 关于CVD方法,以下说法正确的是:() A: CVD过程中,温度较高时一定为扩散限制 B: APCVD的成膜质量要明显高于LPCVD C: PECVD的沉积温度要明显低于APCVD和LPCVD D: CVD技术可以作为一种表面改性技术 关于CVD方法,以下说法正确的是:()A: CVD过程中,温度较高时一定为扩散限制B: APCVD的成膜质量要明显高于LPCVDC: PECVD的沉积温度要明显低于APCVD和LPCVDD: CVD技术可以作为一种表面改性技术 答案： 查看 举一反三 以下CVD技术中，工作压强最低的一类方法是（ ）。 A: APCVD B: LPCVD C: UHV/CVD D: P-CVD 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？ 目前典型的CVD系统主要可分为三种，其中淀积温度最高的是 。 A: APCVD B: PECVD C: LPCVD D: MOCVD ()采用增强的等离子体,从而增加淀积能量,降低沉积温度。 A: APCVD B: LPCVD C: PECVD LPCVD（低压CVD）
