④ 下面哪种CVD的类型有效大量降低了工艺温度
A: 、外延生长法
B: 、等离子CVD
C: 、常压CVD
D: 、减压CVD
A: 、外延生长法
B: 、等离子CVD
C: 、常压CVD
D: 、减压CVD
B
举一反三
- ② 下列哪一种CVD制膜方法使用了卤族灯加热（可以直接快速加热进行CVD反应）？ A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、RTP CVD
- CVD根据激活方式不同分为： A: 热激活CVD B: 等离子增强的反应沉积CVD C: 激光增强的反应沉积CVD D: 微波电子共振等子离CVD
- 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？
- ① （多选）利用CVD的方法制造多晶Si膜，常压CVD需要900℃，采用低压CVD可以 A: 、加快沉积速度 B: 、少量降低温度 C: 、提高膜的均匀性 D: 、提高膜的稳定性
- 以下关于CVD说法错误的是 A: 、CVD过程需要能量，根据能量的来源可将CVD分成热CVD，光CVD等 B: 、CVD不易实现高精度的膜层 C: 、CVD生产快，批量大，所以大多数制膜采用CVD D: 、PVD属于CVD的一种
内容
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a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
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关于CVD涂层，（）描述是不正确的。 A: CVD表示化学气相沉积 B: CVD是在400~600℃的较低温度下形成 C: CVD涂层具有高耐磨性 D: CVD对硬质合金有极强的粘附性
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简述常压CVD系统（APCVD）的优缺点。
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PVD与CVD比较，下列那种说法正确： A: PVD薄膜的保形性更好； B: PVD薄膜与衬底的粘附性较差； C: CVD工艺温度更低； D: CVD普适性更好。
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半导体工艺中常用的三种CVD反应器类型