关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-26 薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？ 薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？ 答案： 查看 举一反三 PECVD常见的形成的薄膜名称是（）。 A: 氧化硅 B: 氮化硅 C: 硅 D: 氧化铝 Si3N4薄膜在集成电路中的应用主要有：⑴ 钝化膜 ⑵ 选择氧化 ⑶电容介质 由于氮化硅氧化速率极低，因此被用作（ ）的掩蔽膜。 A: ⑴ B: ⑵ C: ⑶ D: ⑴⑵ 各向异性腐蚀是指腐蚀液对不同的晶面的腐蚀速率完全一致。 在40克10％KOH溶液中加入4克KOH固体，则该溶液的浓度增大。 用KOH进行各向异性湿法刻蚀时，硅的不同晶向在溶液中的刻蚀速率不同，刻蚀速率比约为：[110]：[100]：[111]=______ ：______ ：1。
