单晶硅中的氧以 形式存在。碳在硅中处于 位置。
间隙氧；替代
举一反三
- 钢成分中除铁以外主要元素有（）。 A: 碳、锰、硅、硫、磷 B: 碳、氧、硅、硫、磷 C: 碳、锰、硅、氧、磷 D: 碳、铝、硅、硫、磷
- 在地壳中，含量较多的四种元素类型的顺序是。（） A: 氧硅铝铁 B: 碳氮氧氢 C: 氢氧氮碳 D: 铁铝硅氧。
- 地壳（或土壤）中含量最多的2种化学元素是（ ） A: 碳和氮 B: 碳和硅 C: 氧和硅 D: 氮和氧
- 在地壳中，含量较多的四种元素类型的顺序是。（） A: A氧硅铝铁 B: B碳氮氧氢 C: C氢氧氮碳 D: D铁铝硅氧。
- 硅基半导体材料包含非晶硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅，载流子迁移率最大的是（ ）？ A: 非晶硅 B: 微晶硅 C: 多晶硅 D: 单晶硅
内容
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下列有关CZ法的优缺点叙述正确的是？ A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。 B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。 C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。 D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。
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氮在晶体硅中存在的主要形式是_________
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在地壳中含量最多的元素是（） A: 碳 B: 硅 C: 钙 D: 氧
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钢铁中硅的主要存在形式有?
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钢材中的有害元素是（ ）。 A: 硫、磷、碳、锰 B: 硫、磷、硅、锰 C: 硫、磷、氧、氮 D: 氧、氮、硅、锰