在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。
A: 晶圆顶层的保护层
B: 多层金属的介质层
C: 多晶硅与金属之间的绝缘层
D: 掺杂阻挡层
E: 晶圆片上器件之间的隔离
A: 晶圆顶层的保护层
B: 多层金属的介质层
C: 多晶硅与金属之间的绝缘层
D: 掺杂阻挡层
E: 晶圆片上器件之间的隔离
举一反三
- 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。 A: A晶圆顶层的保护层 B: B多层金属的介质层 C: C多晶硅与金属之间的绝缘层 D: D掺杂阻挡层 E: E晶圆片上器件之间的隔离
- 非同轴电缆的结构由内而外的顺序是 A: 高压绝缘层、导电芯线、半导体层、金属屏蔽层、保护层 B: 导电芯线、高压绝缘层、半导体层、金属屏蔽层、保护层 C: 高压绝缘层、保护层、导电芯线、金属屏蔽层、保护层 D: 金属屏蔽层、保护层、导电芯线、高压绝缘层、半导体层 E: 半导体层、导电芯线、高压绝缘层、金属屏蔽层、保护层
- 氧化硅抛光主要是用来全局平坦化金属层之间淀积的ILD介质的。
- 高压电缆结构包括（）。 A: 导电芯线 B: 高压绝缘层 C: 半导体层 D: 金属屏蔽层 E: 保护层
- 硅衬底上淀积氮化硅之前必须先制备一层薄薄的氧化硅作为缓冲层。