在下列外延方法中，哪种方法能生长出杂质陡变分布的薄外延层？
A: MBE
B: VPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
E: MOVPE
F: LPE
A: MBE
B: VPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
E: MOVPE
F: LPE
A,C,E
举一反三
内容
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② 下列哪一种CVD制膜方法使用了卤族灯加热（可以直接快速加热进行CVD反应）？ A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、RTP CVD
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晶体硅薄膜外延层增强技术中的绒面衬底上的外延生长技术主要分为化学和 两种方法。
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④ 下面哪种CVD的类型有效大量降低了工艺温度 A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、减压CVD
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
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通常氮化镓外延层的生长需要选择蓝宝石或者碳化硅等衬底,属于()。 A: 同质结外延 B: 异质结外延 C: 正外延 D: 反外延