关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-26 在下列外延方法中，哪种方法能生长出杂质陡变分布的薄外延层？ A: MBE B: VPE C: UHV/CVD D: SEG、SPE E: MOVPE F: LPE 在下列外延方法中，哪种方法能生长出杂质陡变分布的薄外延层？A: MBEB: VPEC: UHV/CVDD: SEG、SPEE: MOVPEF: LPE 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？ 异质外延制备单晶纳米膜，可采用下列哪种工艺方法： A: MBE B: 电子束蒸镀 C: 磁控溅射 D: CBE 异质结的制备方法通常包括() A: 液相外延 B: 金属有机化学气相沉积MOCVD C: 分子束外延MBE 延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。 以下CVD技术中，工作压强最低的一类方法是（ ）。 A: APCVD B: LPCVD C: UHV/CVD D: P-CVD
