实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率：
实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率：
多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备： A: APCVD B: 磁控溅射 C: LPCVD D: VPE
多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备： A: APCVD B: 磁控溅射 C: LPCVD D: VPE
VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷及掺杂剂磷烷是通过 穿越边界层的。
VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷及掺杂剂磷烷是通过 穿越边界层的。
中国大学MOOC:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
中国大学MOOC:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
在下列外延方法中，哪种方法能生长出杂质陡变分布的薄外延层？ A: MBE B: VPE C: UHV/CVD D: SEG、SPE E: MOVPE F: LPE
在下列外延方法中，哪种方法能生长出杂质陡变分布的薄外延层？ A: MBE B: VPE C: UHV/CVD D: SEG、SPE E: MOVPE F: LPE
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