关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2021-04-14 中国大学MOOC:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？ 中国大学MOOC:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？ 答案： 查看 举一反三 在下列外延方法中，哪种方法能生长出杂质陡变分布的薄外延层？ A: MBE B: VPE C: UHV/CVD D: SEG、SPE E: MOVPE F: LPE 异质结的制备方法通常包括() A: 液相外延 B: 金属有机化学气相沉积MOCVD C: 分子束外延MBE MOCVD可以显著降低外延薄膜的生长温度。 中国大学MOOC: 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。 中国大学MOOC: 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
