下面选项中哪个选项对电子束光刻的描述是错误的？（）
A: 是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的一种光刻技术。
B: 电子束曝光的精度可以达到纳米量级，可以制作纳米结构器件。
C: 电子束曝光的曝光效率比较高。
D: 电子束光刻可用于集成光学器件，如光栅，光子晶体等。
A: 是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的一种光刻技术。
B: 电子束曝光的精度可以达到纳米量级，可以制作纳米结构器件。
C: 电子束曝光的曝光效率比较高。
D: 电子束光刻可用于集成光学器件，如光栅，光子晶体等。
C
举一反三
- 利用电子枪发射具有一定能量的电子并聚焦成电子束,打在光刻胶上,使光刻胶发生反应,改变溶解度,完成曝光的方式是: A: 极紫外光光刻 B: 电子束光刻 C: 离子束光刻 D: 浸润式光刻
- 电子束曝光的分辨率要远远低于光学光刻的分辨率。
- 光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（ ）。 A: 电子束曝光技术 B: 离子束曝光技术 C: X射线曝光技术
- 光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是( <br/>) A: 电子束曝光技术 B: 离子束曝光技术 C: X射线曝光技术
- 光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是 A: 离子束曝光技术 B: 电子束曝光技术 C: X涉嫌曝光技术 D: 极紫外线曝光技术
内容
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以下各种光刻技术中，不属于非光学曝光的是 A: 电子束光刻 B: 离子束光刻 C: X射线光刻 D: 浸润式光刻
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根据曝光时所用的光源不同,光刻可分为。 ( ) A: 离子束光刻法 B: 光学光刻法 C: X射线光刻法 D: 电子束光刻
- 2
根据曝光时所用的光源不同,光刻可分为。 ( ) A: 离子束光刻法 B: 光学光刻法 C: X射线光刻法 D: 电子束光刻
- 3
根据曝光时所用的光源不同,光刻可分为。 ( ) A: 离子束光刻法 B: 光学光刻法 C: X射线光刻法 D: 电子束光刻
- 4
根据曝光时所用的光源不同,光刻可分为。 ( ) A: 离子束光刻法 B: 光学光刻法 C: X射线光刻法 D: 电子束光刻