利用电子枪发射具有一定能量的电子并聚焦成电子束,打在光刻胶上,使光刻胶发生反应,改变溶解度,完成曝光的方式是:
A: 极紫外光光刻
B: 电子束光刻
C: 离子束光刻
D: 浸润式光刻
A: 极紫外光光刻
B: 电子束光刻
C: 离子束光刻
D: 浸润式光刻
B
举一反三
- 以下各种光刻技术中，不属于非光学曝光的是 A: 电子束光刻 B: 离子束光刻 C: X射线光刻 D: 浸润式光刻
- 在传统光刻机的光学镜头与晶圆之间的介质可用水替代空气,以缩短曝光光源波长和增大镜头的数值孔径,从而提高分辨率,这种光刻技术是: A: 极紫外光光刻 B: 电子束光刻 C: 离子束光刻 D: 浸润式光刻
- 光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪几种？（）。 A: 压印式光刻 B: 投影式光刻 C: 接近式光刻 D: 接触式光刻
- 光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪三种？（） A: 接触式光刻 B: 接近式光刻 C: 投影式光刻 D: 压印式光刻
- 三维立体光刻中的光刻胶属于 光刻胶。 A: 正性 B: 负性 C: 电子束 D: 中性
内容
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解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
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中国大学MOOC: 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻，负性光刻中采用的光刻胶是（ ）。
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根据曝光时所用的光源不同,光刻可分为。 ( ) A: 离子束光刻法 B: 光学光刻法 C: X射线光刻法 D: 电子束光刻
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根据曝光时所用的光源不同,光刻可分为。 ( ) A: 离子束光刻法 B: 光学光刻法 C: X射线光刻法 D: 电子束光刻
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根据曝光时所用的光源不同,光刻可分为。 ( ) A: 离子束光刻法 B: 光学光刻法 C: X射线光刻法 D: 电子束光刻