硅的湿法刻蚀腐蚀液为热磷酸，干法刻蚀所用的气体为NF3
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
- 硅的湿法刻蚀腐蚀液为热磷酸，干法刻蚀所用的气体为NF3
- 中国大学MOOC: 硅的湿法刻蚀腐蚀液为热磷酸，干法刻蚀所用的气体为NF3。
- 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中，通常（）的刻蚀选择比较高，（）的刻蚀通常是各向异性。 A: 湿法刻蚀 干法刻蚀 B: 干法刻蚀 湿法刻蚀 C: 湿法刻蚀 湿法刻蚀 D: 干法刻蚀 干法刻蚀
- 关于干法和湿法刻蚀说法错误的是() A: 湿法刻蚀保真度较差 B: 干法刻蚀选择性较差 C: 干法刻蚀均匀性较好 D: 干法刻蚀清洁性较好
- ⑰ 湿法刻蚀与干法刻蚀的比较错误的是 A: 、湿法刻蚀是各向同性的，干法刻蚀是各向异性的 B: 、湿法刻蚀由于存在侧蚀现象，不宜制作很微细的图形 C: 、干法刻蚀效果好，但工艺要求高 D: 、干法和湿法刻蚀都不存在晶体缺陷和污染等物理损伤
内容
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硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分不包含
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微细加工技术中的刻蚀工艺可分为干法刻蚀、湿法刻蚀两种。 A: 正确 B: 错误
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通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
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湿法刻蚀的选择性 干法刻蚀。 A:
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刻蚀可以通过化学或物理步骤选择性移除晶圆表面材料，在湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子体刻蚀和激光刻蚀工艺中，（ ）因底切效应无法用于刻蚀小于3μm的图形。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 激光刻蚀