在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
A: 铜
B: 铝
C: 金
D: 二氧化硅
A: 铜
B: 铝
C: 金
D: 二氧化硅
举一反三
- 二氧化硅刻蚀时,加入NH4F的,开始刻蚀时,对刻蚀速率影响的作用是: A: 加快 B: 减缓 C: 不变 D: 不确定
- 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 A: 二氧化硅氮化硅 B: 多晶硅硅化金属 C: 单晶硅多晶硅 D: 铝铜 E: 铝硅
- 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。 A: A二氧化硅氮化硅 B: B多晶硅硅化金属 C: C单晶硅多晶硅 D: D铝铜 E: E铝硅
- SiO2的湿法刻蚀溶液中加入 物质，可以减缓刻蚀速率。
- 刻蚀工艺使用等离子体的好处不包括 A: 均匀等向性的刻蚀轮廓 B: 高刻蚀速率 C: 减少化学污染 D: 光学式终点侦测