中国大学MOOC: 为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是
CMP
举一反三
内容
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中国大学MOOC: CMP是一种减薄层材料的工艺并能去除表面缺陷的平坦化技术。
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InTex的目的是去除硅片表面的污染物；在硅片表面腐蚀出绒面；络合硅片表面沾污的金属离子。
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中国大学MOOC: 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目是： 。
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中国大学MOOC: 平坦化就是一种去除表面凹凸，使晶片表面保持平整平坦的工艺。
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中国大学MOOC: 题3-1-7 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是： 。