关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是 。 A: CMP B: 研磨 C: 倒角 D: 化学腐蚀 为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是 。A: CMPB: 研磨C: 倒角D: 化学腐蚀 答案： 查看 举一反三 为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是 A: 倒角 B: 磨片 C: 化学腐蚀 D: CMP 中国大学MOOC: 为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是 硅片进行表面腐蚀，其作用是去除表面的切片机械损伤。 InTex的目的是去除硅片表面的污染物；在硅片表面腐蚀出绒面；络合硅片表面沾污的金属离子。 CMP工艺中，借助于机械力将硅片表面经化学反应后产生的物质去除的是
