关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 CMP工艺中，借助于机械力将硅片表面经化学反应后产生的物质去除的是 CMP工艺中，借助于机械力将硅片表面经化学反应后产生的物质去除的是 答案： 查看 举一反三 为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是 A: 倒角 B: 磨片 C: 化学腐蚀 D: CMP 为了去除表面的杂质、缺陷，进一步去除硅片表面微量的损伤层，需要进行的工艺是 。 A: CMP B: 研磨 C: 倒角 D: 化学腐蚀 机械研磨是将表面材料与研磨料发生化学反应生成相对容易去除的物质。 化学机械抛光中, 抛光液的作用是()。 A: 与硅片表面材料反应,变成可溶物质或将一些硬度过高的物质软化 B: 向抛光垫施加压力 C: 将反应生成物从硅片表面却除 D: 清洗硅片 将曝光后的硅片放入某种化学溶液后，部分光刻胶去除，该工序称为
