多数FPGA采用的编程工艺是（ ）
A: 熔丝
B: 反熔丝
C: 电擦除
D: SRAM
A: 熔丝
B: 反熔丝
C: 电擦除
D: SRAM
D
举一反三
- (单选题, 1.5分)大部分FPGA芯片采用的编程工艺是？ A: 熔丝型 B: Flash C: SRAM D: EPROM
- FPGA编程工艺一般为（ ） A: A、熔丝 B: B、SRAM C: C、EPROM D: D、FLASH
- FPGA芯片掉电信息丢失，原因是编程单元采用的是 。 A: 浮栅MOS器件 B: 熔丝 C: 反熔丝 D: 触发器
- 下面关于可编程逻辑器件工艺描述正确的是________________。 A: 采用熔丝和反熔丝工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。 B: 采用Flash工艺的可编程逻辑器件不可以反复编程。 C: 采用SRAM工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。 D: 采用掩模工艺的可编程逻辑器件可以反复编程。
- CPLD编程工艺一般为（ ） A: A、熔丝 B: B、SRAM C: C、EEPROM
内容
- 0
以下不同编程工艺的器件中，可多次编程使用的是（ ）。 A: 熔丝型器件 B: 反熔丝型器件 C: EPROM D: EEPROM
- 1
在M2M反熔丝结构中，由于M2M 技术采用无源结构，具有更低编程电压和更小的电阻，是目前主流反熔丝工艺。
- 2
ONO反熔丝，是具有氧-氮-氧介质夹层的反熔丝；M2M反熔丝，是金属-金属反熔丝。
- 3
ONO 反熔丝，是具有氧-氮-氧介质夹层的反熔丝；M2M 反熔丝，是金属-金属反熔丝。
- 4
可编程逻辑器件按照编程工艺可分为四类，其中属于非易失性器件的有（）。 A: A熔丝和反熔丝编程器件 B: BUEPROM编程器件 C: CEEPROM编程器件 D: DSRAM编程器件