宽禁带半导体材料相比硅半导体材料具有的特点有
A: 更高的耐压
B: 低得多的通态电阻
C: 更好的导热性能
D: 更强的耐高温和耐射线辐射能力
A: 更高的耐压
B: 低得多的通态电阻
C: 更好的导热性能
D: 更强的耐高温和耐射线辐射能力
举一反三
- 以下()是宽禁带半导体材料的电力电子器件的特点。 A: 高的很多的耐受高电压的能力； B: 低得多的通态电阻； C: 更差的导热性能和热稳定性； D: 更强的耐受高温能力。
- 宽禁带半导体材料用于制作新型电力电子开关，下列描述（）不属于它的特点 A: 耐受高电压的能力 B: 较高的通态电阻 C: 更好的导热性能 D: 热稳定性好，抗辐射的能力强
- 较之于硅材料制作的电力电子器件，采用SiC等宽禁带半导体材料制作的电力电子器件具有明显的优势，以下描述哪一项是错误的？ A: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力 B: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更大的过流能力 C: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更快的开关速度 D: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更低的成本
- 与传统电力电子器件相比，宽禁带半导体器件有很 出色的性能，主要表现在开关速度、通流能力、耐压特性及温度特性等方面有更 大的提升空间。下列属于宽禁带材料功率半导体器件的有（）。 A: 二氧化硅 B: 碳化硅 C: 氮化硅 D: 晶体硅
- 半导体的禁带与导体的禁带相比,的禁带大。