CMOS反相器的转折电压为（ ）。
A: Ugs(th)
B: VDD/2
C: Ugs(off)
D: 1.4V
A: Ugs(th)
B: VDD/2
C: Ugs(off)
D: 1.4V
举一反三
- CMOS反相器的转折电压为VDD/2。
- 欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。 A: UGS＞UGS,off B: UGS＞UGS,th C: UGS＜UGS,off D: UGS＜UGS,th
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于
- 智慧职教: 四个场效应管的输出特性如图所示(其中漏极电流的参考方向与实际方向一致)，试问它们是哪种类型的场效应管？若是耗尽型的，指出其夹断电压UGS(off)和饱和漏极电流IDSS的大小；若是增强型的，指出其开启电压UGS(th)的大小。（a）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(off) =（ ）V、IDSS =（ ）mA；（b）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(off) = （ ）V、IDSS = （ ）mA；（c）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(th)= （ ）V；（d）：（ ）沟道（ ）场效应管、UGS(th)= （ ）V。