如果在理想的MIS结构中的绝缘层中存在位置固定的负电荷分布，这些负电荷的总量不随金属和半导体之间施加的电压而变化，在与理想结构的电容-电压特性相比，电容-电压特性向正电压方向发生平移。
举一反三
- 均匀掺杂的n型半导体理想MIS结构，在金属和半导体中施加从零开始逐渐增加的正电压，则随着正电压增加，MIS结构的电容值越来越接近绝缘层电容。
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 理想MIS电容的就是一个固定的氧化层电容与一个随电压可变的半导体空间电荷层电容的并联而已。
- 线性电容元件的( )特性是线性的 A: 电荷与电压 B: 电压与电流 C: 功率与电流
- 线性电容元件的(<br/>)特性是线性的 A: 电荷与电压 B: 电压与电流 C: 功率与电流