关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-30 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？A: 金属和半导体之间存在功函数差B: 绝缘层中存在电荷C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态D: 外加偏压 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。 MIS结构中,半导体表面层产生电场的原因有( ).jj A: 外加偏压 B: MS功函数差 C: 氧化层中有电荷 D: 半导体表面存在界面态 MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。 对于理想MIS结构（半导体为p型），功函数差造成C-V特性曲线向右偏移，此时（ ） A: Wm＜Ws B: Wm＞Ws C: Wm=Ws D: 无法比较
