对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？
A: 金属和半导体之间存在功函数差
B: 绝缘层中存在电荷
C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D: 外加偏压
A: 金属和半导体之间存在功函数差
B: 绝缘层中存在电荷
C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D: 外加偏压
A,B,C
举一反三
内容
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中国大学MOOC: 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
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当时,实际MIS结构的C-V曲线相对于理想MIS结构的C-V曲线()移动。 A: 向上 B: 向下 C: 向左 D: 向右
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MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。 A: 正确 B: 错误
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功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当（ ）时对C-V特性影响最大。 A: 当薄层电荷贴近金属 B: 当薄层电荷贴近半导体 C: 当薄层电荷居于金属和半导体中间 D: 当薄层电荷居于氧化层
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对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将()。 A: 向负偏压方向平行移动 B: 向正偏压方向平行移动 C: 不变 D: 无法判断