费米能级EF随着掺杂浓度变化的描述不正确的是（ ）
A: 随着掺杂水平的提高，n型半导体的费米能级逐渐向导带靠近。
B: 随着掺杂水平的提高，p型半导体的费米能级逐渐向价带靠近
C: 掺杂浓度要满足玻尔兹曼近似的假设
D: 以上描述都不正确
A: 随着掺杂水平的提高，n型半导体的费米能级逐渐向导带靠近。
B: 随着掺杂水平的提高，p型半导体的费米能级逐渐向价带靠近
C: 掺杂浓度要满足玻尔兹曼近似的假设
D: 以上描述都不正确
D
举一反三
- p型半导体，随着掺杂浓度增加，费米能级（ ）。 A: 上升靠近导带底 B: 下降靠近价带顶 C: 不变 D: 上升靠近本征费米能级
- 对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: A: 费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B: 费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C: 费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D: 费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
- n型半导体，随着掺杂浓度减少，费米能级（ ）。 A: 向导带底靠近 B: 向下朝禁带中央靠近 C: 向下朝价带顶靠近 D: 向上朝禁带中央靠近
- N型半导体的费米能级越靠近导带底，说明半导体的掺杂浓度越高。
- 关于费米能级，下列说法正确的有（） A: 半导体费米能级位置会随温度的变化而变化 B: 费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平 C: 半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关 D: 掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
内容
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以下关于“费米能级的变化”说法正确的是： A: 从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级。 B: 费米能级随掺杂浓度的增大向带边（导带底或价带顶）靠近。 C: 费米能级一直随温度升高而降低。 D: 费米能级一直随温度升高而增大。 E: 费米能级随掺杂浓度的增大向上移动。 F: 费米能级随掺杂浓度的增大向下移动。
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对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：
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n型半导体，费米能级越靠近导带底，其掺杂浓度（ ）。 A: 越高 B: 越低 C: 不变 D: 以上都不对
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中国大学MOOC:对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：
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下列关于费米能级的说法错误的是（ ）。 A: 费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大 B: 本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近 C: N型半导体的费米能级比较靠近价带顶 D: N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远