真空能级与半导体导带底之间的能量差是指()。
A: 功函数
B: 电子亲和势
A: 功函数
B: 电子亲和势
举一反三
- 半导体的导带底至真空能级之间的能级差异称为半导体的（）。 A: 功函数 B: 电子亲和能 C: 势垒能 D: 自由能
- 半导体导带底至真空能级差异成为半导体的（） A: 功函数 B: 电子亲和能 C: 静电能 D: 势垒能
- 负电子亲和势光电阴极是真空能级在导带之下，从而使有效的电子亲和势为负值。
- 以下物理参量中，不随半导体掺杂浓度变化的是？ A: 半导体的导带底 B: 半导体的电子亲和能 C: 半导体的费米能级 D: 半导体的功函数
- 下列关于外光电效应表述正确的是： A: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和； B: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量； C: 对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差； D: 对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。