关于阻挡层的形成，下面描述正确的是：
A: 当PN结达到动态平衡时，扩散电流和漂移电流形成的净电流为零。
B: 阻挡层也称为空间电荷区、耗尽区、势垒区
C: 硅材料PN结的内建电位差比锗材料PN结的小
D: 阻挡层宽度和掺杂浓度成反比
A: 当PN结达到动态平衡时，扩散电流和漂移电流形成的净电流为零。
B: 阻挡层也称为空间电荷区、耗尽区、势垒区
C: 硅材料PN结的内建电位差比锗材料PN结的小
D: 阻挡层宽度和掺杂浓度成反比
举一反三
- 对PN结的空间电荷区错误称谓是（ ）。 A: 势垒层 B: 阻挡层 C: 外电场 D: 耗尽区
- 电力二极管PN结内的空间电荷区又被称为（ ）。 A: 耗尽层 B: 阻挡层 C: 电场区 D: 势垒区
- 一个硅pn结，载流子的净产量将存在于：（）。 A: 平衡pn结的势垒区中 B: 正向pn结的势垒区中 C: 反向pn结的势垒区中 D: 正向pn结的扩散区中
- 关于PN结的伏安特性特性,描述正确的是 A: PN的伏安特性是指PN结的电流和电压的依存关系 B: PN的正向特性，即对PN施加正向电压（P区接正极、N区接负极），阻挡层宽度变小，扩散运动大于漂移运动。 C: PN的反向特性，即对PN施加反向电压（P区接负极、N区接正极），阻挡层宽度变宽，漂移运动大于扩散运动。 D: PN结反偏，即施加反向偏置电压时，反向电流很小且与外加反偏电压无关。
- PN结两边掺杂浓度越高，阻挡层的宽度就越____。 A: