对PN结的空间电荷区错误称谓是（ ）。
A: 势垒层
B: 阻挡层
C: 外电场
D: 耗尽区
A: 势垒层
B: 阻挡层
C: 外电场
D: 耗尽区
举一反三
- 半导体pn结空间电荷区又可以称为（） A: 发射区 B: 高阻区 C: 势垒区 D: 耗尽区
- 电力二极管PN结内的空间电荷区又被称为（ ）。 A: 耗尽层 B: 阻挡层 C: 电场区 D: 势垒区
- 关于阻挡层的形成，下面描述正确的是： A: 当PN结达到动态平衡时，扩散电流和漂移电流形成的净电流为零。 B: 阻挡层也称为空间电荷区、耗尽区、势垒区 C: 硅材料PN结的内建电位差比锗材料PN结的小 D: 阻挡层宽度和掺杂浓度成反比
- PN结外加正向电压产生外加电场,使空间电荷减少,空间电荷区(),势垒降低。 A: 变窄 B: 变宽 C: 不变 D: 变大
- pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。