在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 。
A: 杂质浓度
B: 温度
C: 本征半导体
D: 掺杂工艺
A: 杂质浓度
B: 温度
C: 本征半导体
D: 掺杂工艺
A
举一反三
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。 A: 晶体缺陷 B: 温度 C: 杂质浓度 D: 掺杂工艺
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A: 掺杂工艺 B: 杂质浓度 C: 晶体缺陷 D: 温度
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 掺入杂质浓度 C: 本征激发 D: 杂质类型
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。 A: 掺杂工艺、杂质浓度 B: 晶体缺陷、温度 C: 杂质浓度、温度 D: 掺杂工艺、温度
- 杂质半导体中多数载流子浓度主要取决于________。 A: 温度 B: 半导体材料 C: 掺入杂质浓度 D: 制造工艺
内容
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在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 杂质浓度 C: 晶体缺陷 D: 掺杂工艺
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在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（）。（2.0分） A: 掺杂工艺 B: 杂质浓度 C: 温度 D: 晶体缺陷
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度与关系十分密切。（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）