在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A: 掺杂工艺
B: 杂质浓度
C: 晶体缺陷
D: 温度
A: 掺杂工艺
B: 杂质浓度
C: 晶体缺陷
D: 温度
举一反三
- 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。 A: 晶体缺陷 B: 温度 C: 杂质浓度 D: 掺杂工艺
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。 A: 掺杂工艺、杂质浓度 B: 晶体缺陷、温度 C: 杂质浓度、温度 D: 掺杂工艺、温度
- 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
- 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。 A: 温度 B: 杂质浓度 C: 晶体缺陷 D: 掺杂工艺
- 在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于（）。（2.0分） A: 掺杂工艺 B: 杂质浓度 C: 温度 D: 晶体缺陷