掺杂半导体中，载流子的浓度会影响载流子的迁移率。不论是空穴还是自由电子，在低杂质浓度下迁移率都，在高浓度下达到（）
A: 最高、最低
B: 最低、最低
C: 最高、最高
D: 最低、最高
A: 最高、最低
B: 最低、最低
C: 最高、最高
D: 最低、最高
举一反三
- 在杂质半导体中,多数载流子的浓度与杂质浓度有关,N型半导体中的少数载流子是( )。 A: 自由电子 B: 空穴
- 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（），而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷 E: 空穴 F: 自由电子
- 本征半导体是指()。 A: 不含杂质和缺陷的半导体 B: 电子浓度和本征载流子浓度相等的半导体 C: 空穴浓度和本征载流子浓度相等的半导体 D: 电阻率最高的半导体
- 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
- 室温范围内，影响硅半导体热敏电阻的电阻值的主要因素是： A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 载流子迁移率 D: 本征载流子浓度