在杂质半导体中,多子的浓度则受()的影响最大
A: 温度
B: 掺杂浓度
C: 掺杂工艺
D: 晶体缺陷
A: 温度
B: 掺杂浓度
C: 掺杂工艺
D: 晶体缺陷
B
举一反三
内容
- 0
在掺杂半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( );而少数载流子的浓度则主取决温度。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 晶体缺陷
- 1
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ),而少数载流子的浓度则与( )有很大关系。 A: 掺杂工艺、杂质浓度 B: 晶体缺陷、温度 C: 杂质浓度、温度 D: 掺杂工艺、温度
- 2
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。 A: 晶体缺陷 B: 温度 C: 杂质浓度 D: 掺杂工艺
- 3
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷
- 4
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A: 掺杂工艺 B: 杂质浓度 C: 晶体缺陷 D: 温度