在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于
A: 温度
B: 掺杂浓度
C: 掺杂工艺
D: 晶体缺陷
A: 温度
B: 掺杂浓度
C: 掺杂工艺
D: 晶体缺陷
举一反三
- 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。 A: 掺杂浓度，温度 B: 掺杂工艺，温度 C: 晶体缺陷，掺杂浓度 D: 掺杂工艺，掺杂浓度
- 在掺杂半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( );而少数载流子的浓度则主取决温度。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 晶体缺陷
- 在杂质半导体中,少子的浓度主要取决于(<br/>)。 A: 温度 B: 晶体缺陷 C: 掺杂工艺 D: 掺杂浓度
- 在杂质半导体中,多子的浓度则受()的影响最大 A: 温度 B: 掺杂浓度 C: 掺杂工艺 D: 晶体缺陷
- 在掺杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大 A: 温度 B: 晶体缺陷 C: 掺杂工艺 D: 掺杂浓度