单晶硅的制备的具体步骤包括（ ）。
A: 熔料和引晶
B: 成晶和收尾
C: 放肩和等径生长
D: 热处理和淬火
A: 熔料和引晶
B: 成晶和收尾
C: 放肩和等径生长
D: 热处理和淬火
举一反三
- CZ法的主要流程工艺顺序正确的是（） A: 加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾 B: 加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾 C: 加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾 D: 加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾
- 硅基半导体材料包含非晶硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅，载流子迁移率最大的是（ ）？ A: 非晶硅 B: 微晶硅 C: 多晶硅 D: 单晶硅
- 硅(Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料。
- 下列哪几个属于区熔操作步骤（） A: 等径 B: 缩颈 C: 放肩 D: 收尾
- 硅(Si)易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅 和非晶硅薄膜材料。 A: 正确 B: 错误