关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-04 中国大学MOOC: 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。 中国大学MOOC: 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。 答案： 查看 举一反三 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 对于p型半导体构成的理想MIS结构，在多子积累时，总电容就等于绝缘层电容。 均匀掺杂的n型半导体理想MIS结构，在金属和半导体中施加从零开始逐渐增加的正电压，则随着正电压增加，MIS结构的电容值越来越接近绝缘层电容。 对于p型半导体构成的理想MIS结构，在多子积累时，总电容就等于绝缘层电容。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 对于理想MOS结构，同一氧化层厚度下，掺杂浓度越高，归一化平带电容越 ；同一掺杂浓度下，氧化层厚度越厚，归一化平带电容越 （ ）。
