关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-04 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。 A: 正确 B: 错误 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 对于p型半导体构成的理想MIS结构，如果掺杂浓度增加，则平带电容会不变。 对于p型半导体构成的理想MIS结构，在多子积累时，总电容就等于绝缘层电容。 A: 正确 B: 错误 均匀掺杂的n型半导体理想MIS结构，在金属和半导体中施加从零开始逐渐增加的正电压，则随着正电压增加，MIS结构的电容值越来越接近绝缘层电容。 中国大学MOOC: 对于p型半导体构成的理想MIS结构，在多子积累时，总电容就等于绝缘层电容。 对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（ ）状态。 A: 多子积累 B: 平带 C: 弱反型 D: 强反型
