2.对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（ ）。
A: 增加
B: 不变
C: 减少
A: 增加
B: 不变
C: 减少
A
举一反三
内容
- 0
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei A: Ec B: Ev C: Eg D: E<sub>F</sub>
- 1
对一定的材料，掺杂浓度NA越大，耗尽层宽度xdm（ ）。 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 随掺杂浓度线性增加
- 2
杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由 （ ）决定。 A: 温度和禁带宽度 B: 温度和掺杂浓度 C: 温度、掺杂浓度和禁带宽度 D: 掺杂浓度和禁带宽度
- 3
对于处于饱和区的半导体硅材料，温度升高将导致禁带宽度（ ）。 A: 变大 B: 变小 C: 不变 D: 以上都不对
- 4
对于掺杂浓度一定的Si半导体材料,温度越高,载流子浓度越高