深耗尽状态是在空间电荷层内电子的产生速率赶不上电压的变化时形成的状态。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 深耗尽状态是在空间电荷层内电子的产生速率赶不上电压的变化时形成的状态。
- 下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度 B: 深耗尽是一种非平衡态 C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立 D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
- P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是 ，此时半导体表面 导电。 A: 电子，可以 B: 空穴。可以 C: 施主离子，不可以 D: 受主离子，不可以
- 波函数Ψ用于描述 A: 电子的运动速率 B: 电子在空间的运动状态 C: 电子的能量 D: 电子在空间的概率密度
- n沟增强型MOS管在栅压为零时，由于氧化层中正电荷的作用半导体表面通常为___状态，开启电压为___。（ ） A: 积累，正值 B: 耗尽，正值 C: 积累，负值 D: 耗尽，负值