下面针对MIS电容中的深耗尽状态,( )说法是不正确的。qq
A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度
B: 深耗尽是一种非平衡态
C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立
D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
A: 深耗尽时耗尽层宽度远大于强反型时的最大耗尽层宽度
B: 深耗尽是一种非平衡态
C: 在n型半导体的MIS中,金属和半导体之间加高频正弦波形成的正电压时,由于空间电荷层的少子产生速率赶不上电压变化,反型层来不及建立
D: 深耗尽层过渡到热平衡反型层时间大约在1秒~100秒之间
