常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
A
举一反三
内容
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半导体禁带宽度越大，本征载流子浓度越小。
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已知本征硅材料的禁带宽度Eg=1.2eV，求该半导体材料的本征吸收长波限。直接回复答案，带单位。
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关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？ A: 本征半导体的载流子浓度来源于本征激发 B: 本征半导体，电子浓度等于空穴浓度 C: 本征半导体的载流子浓度与温度无关 D: 一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小
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半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。
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硅材料的禁带宽度为( )eV。 A: 0.7 B: 1.4 C: 2.6 D: 1.12