2. 硅的禁带宽度是 ______ eV，锗的禁带宽度 ______ eV。
1.12:)0.66
举一反三
内容
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硅材料的禁带宽度为( )eV。 A: 0.7 B: 1.4 C: 2.6 D: 1.12
- 1
室温下半导体Si的禁带宽度大约为 （）。 A: 0.15 eV B: 1.12 eV C: 2.5 eV D: 4.5 eV
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常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。 A: 1.12 B: 2.14 C: 1.42 D: 0.92
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非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为eV（） A: 1.6～1.7 B: 1.5～1.6 C: 1.7～1.8 D: 1.1～1.2
- 4
碲化镉薄膜材料的禁带宽度是（ ）eV。 A: 1.35 B: 1.40 C: 1.50 D: 1.45