晶体硅材料在常温下的禁带宽度为eV。
1.12
举一反三
内容
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半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV
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本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV
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非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为eV（） A: 1.6～1.7 B: 1.5～1.6 C: 1.7～1.8 D: 1.1～1.2
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硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为2.42 eV，要使这种晶体产生本征光电导，入射到晶体上的光的波长不能大于
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【填空题】从能带结构特征上看:硅、锗均为()带隙结构;砷化镓为()带隙结构。后者具有更好的光学性能。硅、锗和砷化镓的室温禁带宽度分别为()eV、()eV和()eV