硅材料的禁带宽度为( )eV。
A: 0.7
B: 1.4
C: 2.6
D: 1.12
A: 0.7
B: 1.4
C: 2.6
D: 1.12
D
举一反三
内容
- 0
室温下半导体Si的禁带宽度大约为 （）。 A: 0.15 eV B: 1.12 eV C: 2.5 eV D: 4.5 eV
- 1
常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
- 2
非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为eV（） A: 1.6～1.7 B: 1.5～1.6 C: 1.7～1.8 D: 1.1～1.2
- 3
13. 室温下，硅的禁带宽度为1.12eV，其截止工作波长为:（ ）微米 A: 1.1 B: 1.2 C: 1.3 D: 1.4
- 4
晶体硅材料在常温下的禁带宽度为( )。 A: 0.67eV B: 0.8eV C: 1.12eV D: 1.43eV