关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-07 关于半导体的复合，下列说法不正确的是 A: 复合是产生的逆过程 B: 复合中心往往是由深能级杂质和缺陷充当 C: 哪怕是完全无缺陷的半导体，其表面复合率也高于体内 D: 复合越剧烈，少子寿命越短 关于半导体的复合，下列说法不正确的是A: 复合是产生的逆过程B: 复合中心往往是由深能级杂质和缺陷充当C: 哪怕是完全无缺陷的半导体，其表面复合率也高于体内D: 复合越剧烈，少子寿命越短 答案： 查看 举一反三 1、关于少子寿命的说法，哪个是不正确的 A: 少子寿命是载流子的平均存在时间 B: 少子寿命可以衡量半导体质量的好坏 C: 复合作用越强，少子寿命越短 D: 少子寿命的长短与缺陷和杂质有关 深能级杂质往往是造成非辐射复合的根源,不会产生辐射复合过程。(<br/>) 在半导体中起复合中心的作用杂质是（ ）。 A: 浅能级杂质 B: 深能级杂质 C: 施主杂质 D: 受主杂质 有些深能级杂质在促进复合作用上特别有效，成为主要决定寿命的杂质，被称为复合中心。 半导体材料的深能级通常是有效的复合中心。(<br/>)
