沟道夹断之后，漏极电压进一步增加时，耗尽区的长度增加，电中性的沟道长度也增加
举一反三
- 对于JFET，沟道夹断后，漏极电压进一步增加时，耗尽区长度（），电中性的沟道长度（），这种现象称为（）
- MOSFET夹断后，随着漏极电压的增加，导电沟道两端的电压保持不变，但沟道长度L缩短，漏极电压增加，呈现不饱和特性，这种现象称为（）。
- 以n沟增强型MOSFET为例，以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是（）。 A: 沟道长度调变效应指的是增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加 B: 沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低 C: 由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小 D: 沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似
- 以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流：（ ）。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高
- 以n沟增强型MOSFET为例，以下关于沟道长度调变效应的说法错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['沟道长度调变效应指的是[img=29x22]18036f7dcf43dba.png[/img]增加，出现夹断点，沟道长度减小，从而导致漏-源饱和电流增加', '沟道长度调变效应会使MOS输出特性曲线饱和区段发生倾斜，输出阻抗降低', '由于沟道长度调变效应，在n型沟道中运动的电子到达夹断处时，会被耗尽区电场扫进漏区，从而导致增益变小', '沟道长度调变效应的工作机理与双极型晶体管的基区宽度调变效应有些相似'], 'type': 102}