对于JFET,沟道夹断后,漏极电压进一步增加时,耗尽区长度(),电中性的沟道长度(),这种现象称为()
举一反三
- 沟道夹断之后,漏极电压进一步增加时,耗尽区的长度增加,电中性的沟道长度也增加
- MOSFET夹断后,随着漏极电压的增加,导电沟道两端的电压保持不变,但沟道长度L缩短,漏极电压增加,呈现不饱和特性,这种现象称为()。
- 对于N沟道JFET,对应栅源电压vGS ,漏源电压vDS,夹断电压vP,描述正确的是 。 A: vGS=0,vDS=0时,沟道不存在,漏极电流iD=0 B: vGS=0,vDS=∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流iD=0 C: vGS=0,vDS=∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流饱和 D: vGS=0,vDS>∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流iD继续增大
- 对于MOSFET和JFET而言,有效沟道长度的改变以及相应漏电流的变化称为____。
- 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后,会出现哪些现象:( )。 A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L B: 阈值电压随L 的缩短而减小 C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关 D: 跨导与沟道长度 L 不再有关