MOSFET夹断后，随着漏极电压的增加，导电沟道两端的电压保持不变，但沟道长度L缩短，漏极电压增加，呈现不饱和特性，这种现象称为（）。
举一反三
- 对于JFET，沟道夹断后，漏极电压进一步增加时，耗尽区长度（），电中性的沟道长度（），这种现象称为（）
- 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。 A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L B: 阈值电压随L 的缩短而减小 C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关 D: 跨导与沟道长度 L 不再有关
- MOSFET的特性就是沟道的电阻特性，所以漏极电流随漏源电压线性增加。
- 沟道夹断之后，漏极电压进一步增加时，耗尽区的长度增加，电中性的沟道长度也增加
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。